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声明公告

年份

2018前

2018 /03/ 21

关于薛宗智先生离职的声明

近期，不断有供应商询问薛宗智（George Hsueh) 先生与本公司的关系。原长江存储(及武汉新芯)采购部门负责人薛宗智（George Hsueh) 先生已于2017年10月13日与长江存储(及武汉新芯)解除劳动关系。自上述日期起，薛宗智先生已不再是本公司员工，其任何行为均为其个人行为，与长江存储、武汉新芯没有任何关系，其行为后果由行为人自行承担。
2017 /06/ 14

“关于媒体报道我公司产线污染事件” 的声明

近日，有媒体发布关于武汉新芯产线“遭受重大化学污染”、“影响产能约9,000片晶圆”等不实报道，我公司特严正声明如下：武汉新芯没有发生过任何重大的化学品污染事件；一个月前(5月16日），公司去离子水供应站中的一台水泵出现了故障，造成局部性水杂质升高，公司及时发现并且及时解决了该问题；此事不会对武汉新芯NOR Flash和其他所有产品供货产生实质性影响。
2017 /01/ 16

“关于长江存储32层3D NAND今年量产”的声明

近日有媒体发布有关长江存储科技有限责任公司（以下简称“本公司”）CEO杨士宁博士于1月14日在上海举行的国际智慧科技产业峰会上“长江存储32层3D NAND今年量产，预计2020年赶上世界前沿技术”等言论及消息。对此本公司郑重声明如下：截至目前，本公司经与CEO杨士宁博士本人确认核实，他虽然参加上述峰会，但从未发表过“32层3D NAND今年量产”的信息。
2016 /10/ 27

“关于杨士宁博士辞去武汉新芯CEO职务”的公告

杨士宁博士，新任长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）CEO，因工作需要，提出辞去武汉新芯CEO职务。
2016 /09/ 05

“关于武汉新芯更换董事长和法定代表人”的公告

鉴于王继增先生新任长江存储及武汉新芯监事长，故长江存储董事会在8月24日召开的第一届董事会第二次会议上，同意王继增先生辞去武汉新芯董事长和法定代表人职务，同时委派杨道虹先生（简历见附件）担任武汉新芯董事长和武汉新芯法定代表人。